TK12V60W,LVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK12V60W,LVQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.8A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	5-DFN (8x8)
Paquet / cas	4-VSFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TK1202140-G1	SUNGMI	TK1202140-G1 SUNGMI BGA New Original Stocks	Détails
TK1205800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 12P SIDE ENTRY 5MM PCB	Détails
TK121	EXSHINE	Low TC Precision Radial-Lead Film Resistors	Détails
TK12A45D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS	Détails
TK12A50D	TOSHIBA	TK12A50D TOSHIBA TO-220.. New Original Stocks	Détails
TK12A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS	Détails
TK12A50E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V TO220SIS	Détails
TK12A50E,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V TO220SIS	Détails
TK12A53D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS	Détails
TK12A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS	Détails