TK12V60W,LVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	TK12V60W,LVQ
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.5A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (Máx)	104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	5-DFN (8x8)
Paquete / caja	4-VSFN Exposed Pad
Peso	-
País de origen	-

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