TK12V60W,LVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK12V60W,LVQ
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.8A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	5-DFN (8x8)
Pacchetto / caso	4-VSFN Exposed Pad
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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