TK12V60W,LVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

номер части	TK12V60W,LVQ
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	25nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	890pF @ 300V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	Super Junction
Рассеиваемая мощность (макс.)	104W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.8A, 10V
Рабочая Температура	150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	5-DFN (8x8)
Упаковка / чехол	4-VSFN Exposed Pad
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TK1202140-G1	SUNGMI	TK1202140-G1 SUNGMI BGA New Original Stocks	подробности
TK1205800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 12P SIDE ENTRY 5MM PCB	подробности
TK121	EXSHINE	Low TC Precision Radial-Lead Film Resistors	подробности
TK12A45D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS	подробности
TK12A50D	TOSHIBA	TK12A50D TOSHIBA TO-220.. New Original Stocks	подробности
TK12A50D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS	подробности
TK12A50E,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V TO220SIS	подробности
TK12A50E,S5X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 500V TO220SIS	подробности
TK12A53D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS	подробности
TK12A55D(STA4,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS	подробности