TK12A50E,S5X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK12A50E,S5X
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220SIS
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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