DF10G6M4N,LF

DF10G6M4N,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
DF10G6M4N,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
TVS - Diodes
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1213/pcs
Notre prix
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DF10G6M4N,LF Description détaillée

Numéro d'article DF10G6M4N,LF
État de la pièce Active
Type Zener
Canaux unidirectionnels -
Canaux bidirectionnels 4
Tension - Inverser l'écart (Typ) 5.5V (Max)
Tension - Panne (Min) 5.6V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 25V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) 2A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête 30W
Protection de ligne électrique No
Applications General Purpose
Capacité @ Fréquence 0.2pF @ 1MHz
Température de fonctionnement -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 10-UFDFN
Package de périphérique fournisseur 10-DFN (2.5x1)
Poids -
Pays d'origine -

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