DF10G6M4N,LF

DF10G6M4N,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
DF10G6M4N,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DF10G6M4N,LF PDF-Online-Browsing
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Kategorie
TVS - Dioden
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
7500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1213/pcs
Unser Preis
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DF10G6M4N,LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DF10G6M4N,LF
Teilstatus Active
Art Zener
Unidirektionale Kanäle -
Bidirektionale Kanäle 4
Spannung - Reverse Standoff (Typ) 5.5V (Max)
Spannung - Ausfall (Min.) 5.6V
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp 25V
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) 2A (8/20µs)
Leistung - Spitzenpuls 30W
Stromleitungsschutz No
Anwendungen General Purpose
Kapazität @ Frequenz 0.2pF @ 1MHz
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 10-UFDFN
Lieferantengerätepaket 10-DFN (2.5x1)
Gewicht -
Ursprungsland -

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