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Casa › Categorías de Producto › Dispositivos de temperatura, sobrecorriente, sobrevoltaje › TVS - Diodos › DF10G6M4N,LF
DF10G6M4N,LF

DF10G6M4N,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza
DF10G6M4N,LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
DF10G6M4N,LF Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
TVS - Diodos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
7500 pcs
Precio de referencia
USD 0.1213/pcs
Nuestro precio
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DF10G6M4N,LF Descripción detallada

Número de pieza DF10G6M4N,LF
Estado de la pieza Active
Tipo Zener
Canales unidireccionales -
Canales Bidireccionales 4
Voltaje - Separación inversa (Tipo) 5.5V (Max)
Voltaje - avería (Min) 5.6V
Voltaje: sujeción (máxima) @ Ipp 25V
Corriente - Pulso máximo (10 / 1000μs) 2A (8/20µs)
Poder - Pulso máximo 30W
Power Line Protection No
Aplicaciones General Purpose
Capacitancia @ Frecuencia 0.2pF @ 1MHz
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 10-UFDFN
Paquete de dispositivo del proveedor 10-DFN (2.5x1)
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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