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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi di protezione da sovratensioni, sovracorrenti, sovratemperature › TVS - Diodi › DF10G6M4N,LF
DF10G6M4N,LF

DF10G6M4N,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
DF10G6M4N,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DF10G6M4N,LF Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
TVS - Diodi
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1213/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

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DF10G6M4N,LF Descrizione dettagliata

Numero di parte DF10G6M4N,LF
Stato parte Active
genere Zener
Canali unidirezionali -
Canali bidirezionali 4
Voltage - Reverse Standoff (Typ) 5.5V (Max)
Voltage - Breakdown (Min) 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp 25V
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) 2A (8/20µs)
Potenza - Peak Pulse 30W
Protezione della linea di alimentazione No
applicazioni General Purpose
Capacità @ frequenza 0.2pF @ 1MHz
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 10-UFDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 10-DFN (2.5x1)
Peso -
Paese d'origine -

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