DF1000R17IE4DB2BOSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	DF1000R17IE4DB2BOSA1
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	-
Configuration	Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	-
Puissance - Max	6250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 1000A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce	81nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	Module
Package de périphérique fournisseur	Module
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	DF1000R17IE4BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 1000A	Détails
	DF1000R17IE4DB2BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 1000A	Détails