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DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4DB2BOSA1 - Infineon Technologies

品番: DF1000R17IE4DB2BOSA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: IGBT MODULE 1700V 1000A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: DF1000R17IE4DB2BOSA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - IGBT - モジュール
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 267 pcs
参考価格: USD 615.225/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

DF1000R17IE4DB2BOSA1 詳細な説明

品番	DF1000R17IE4DB2BOSA1
部品ステータス	Active
IGBTタイプ	-
構成	Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	1700V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	-
電力 - 最大	6250W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	2.45V @ 15V, 1000A
電流 - コレクタ遮断（最大）	5mA
入力容量（Cies）@ Vce	81nF @ 25V
入力	Standard
NTCサーミスタ	Yes
動作温度	-40°C ~ 150°C
取付タイプ	Chassis Mount
パッケージ/ケース	Module
サプライヤデバイスパッケージ	Module
重量	-
原産国	-

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