BAS516,L3F

BAS516,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
BAS516,L3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
5965595 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0276/pcs
Notre prix
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BAS516,L3F Description détaillée

Numéro d'article BAS516,L3F
État de la pièce Active
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Courant - Rectifié moyen (Io) 250mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 1.25V @ 150mA
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 3ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 200nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-79, SOD-523
Package de périphérique fournisseur ESC
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)
Poids -
Pays d'origine -

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