BAS516,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	BAS516,H3F
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io)	250mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.25V @ 150mA
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	3ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	200nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F	0.35pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-79, SOD-523
Package de périphérique fournisseur	ESC
Température de fonctionnement - Jonction	150°C (Max)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BAS516	NXP	BAS516 NXP SOD-52.. New Original Stocks	Détails
BAS516,115	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523	Détails
BAS516,135	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523	Détails
BAS516,315	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523	Détails
BAS516,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC	Détails
BAS516,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC	Détails
BAS516-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523	Détails
BAS516/B	NXP	BAS516/B NXP SOT-52.. New Original Stocks	Détails
BAS516/DG	NXP	BAS516/DG NXP SOD-52.. New Original Stocks	Détails
BAS52-02V	INFINEON	BAS52-02V INFINEON SOD523 New Original Stocks	Détails