| Artikelnummer | BAS516,H3F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 250mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 3ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200nA @ 80V |
| Kapazität @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-79, SOD-523 |
| Lieferantengerätepaket | ESC |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | 150°C (Max) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
BAS516 | NXP | BAS516 NXP SOD-52.. New Original Stocks | Einzelheiten |
.jpg "BAS516,115") |
BAS516,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | Einzelheiten |
|
BAS516,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | Einzelheiten |
|
BAS516,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | Einzelheiten |
|
BAS516,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | Einzelheiten |
|
BAS516,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | Einzelheiten |
 |
BAS516-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 | Einzelheiten |
|
BAS516/B | NXP | BAS516/B NXP SOT-52.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
BAS516/DG | NXP | BAS516/DG NXP SOD-52.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
BAS52-02V | INFINEON | BAS52-02V INFINEON SOD523 New Original Stocks | Einzelheiten |
