BAS516,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	BAS516,L3F
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	250mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	3ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	200nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F	0.35pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-79, SOD-523
Lieferantengerätepaket	ESC
Betriebstemperatur - Kreuzung	150°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BAS516	NXP	BAS516 NXP SOD-52.. New Original Stocks	Einzelheiten
BAS516,115	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523	Einzelheiten
BAS516,135	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523	Einzelheiten
BAS516,315	Nexperia USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523	Einzelheiten
BAS516,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC	Einzelheiten
BAS516,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC	Einzelheiten
BAS516-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523	Einzelheiten
BAS516/B	NXP	BAS516/B NXP SOT-52.. New Original Stocks	Einzelheiten
BAS516/DG	NXP	BAS516/DG NXP SOD-52.. New Original Stocks	Einzelheiten
BAS52-02V	INFINEON	BAS52-02V INFINEON SOD523 New Original Stocks	Einzelheiten