| номер части | BAS516,L3F |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 100V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 250mA |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.25V @ 150mA |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 3ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 200nA @ 80V |
| Емкость @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | SC-79, SOD-523 |
| Пакет устройств поставщика | ESC |
| Рабочая температура - Соединение | 150°C (Max) |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
BAS516 | NXP | BAS516 NXP SOD-52.. New Original Stocks | подробности |
.jpg "BAS516,115") |
BAS516,115 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | подробности |
|
BAS516,135 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | подробности |
|
BAS516,315 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523 | подробности |
|
BAS516,H3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | подробности |
|
BAS516,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC | подробности |
 |
BAS516-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523 | подробности |
|
BAS516/B | NXP | BAS516/B NXP SOT-52.. New Original Stocks | подробности |
|
BAS516/DG | NXP | BAS516/DG NXP SOD-52.. New Original Stocks | подробности |
|
BAS52-02V | INFINEON | BAS52-02V INFINEON SOD523 New Original Stocks | подробности |
