| Numéro d'article | 1N5620C.TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Avalanche |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 2A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 800V |
| Capacitance @ Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | Axial |
| Package de périphérique fournisseur | Axial |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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1N5610 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG | Détails |
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1N5611 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | Détails |
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1N5613 | Microsemi Corporation | TVS DIODE C-BODY | Détails |
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1N5614 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Détails |
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1N5614GP | VISHAY | 1N5614GP VISHAY DO-15 New Original Stocks | Détails |
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1N5614GP-E3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Détails |
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1N5614GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Détails |
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1N5614GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Détails |
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1N5614US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | Détails |
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1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Détails |
