1N5620C.TR - Semtech Corporation

номер части	1N5620C.TR
Статус детали	Active
Тип диода	Avalanche
Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.)	800V
Текущий - средний отрегулированный (Io)	2A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 1A
скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)	2µs
Текущий - обратный утечек @ Vr	500nA @ 800V
Емкость @ Vr, F	23pF @ 5V, 1MHz
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	Axial
Пакет устройств поставщика	Axial
Рабочая температура - Соединение	-65°C ~ 175°C
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
1N5610	Microsemi Corporation	TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG	подробности
1N5611	Microsemi Corporation	TVS DIODE	подробности
1N5613	Microsemi Corporation	TVS DIODE C-BODY	подробности
1N5614	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL	подробности
1N5614GP	VISHAY	1N5614GP VISHAY DO-15 New Original Stocks	подробности
1N5614GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	подробности
1N5614GP-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	подробности
1N5614GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	подробности
1N5614US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 1A D5A	подробности
1N5615	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL	подробности