| Artikelnummer | 1N5620C.TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Avalanche |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 2µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 800V |
| Kapazität @ Vr, F | 23pF @ 5V, 1MHz |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | Axial |
| Lieferantengerätepaket | Axial |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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1N5610 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG | Einzelheiten |
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1N5611 | Microsemi Corporation | TVS DIODE | Einzelheiten |
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1N5613 | Microsemi Corporation | TVS DIODE C-BODY | Einzelheiten |
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1N5614 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Einzelheiten |
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1N5614GP-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Einzelheiten |
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1N5614GPHE3/54 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC | Einzelheiten |
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1N5614US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A D5A | Einzelheiten |
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1N5615 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | Einzelheiten |
