• Deutschl
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Zuhause › Produktkategorien › Überspannung, Überstrom, Temperaturbausteine › TVS - Dioden › 1N5613
1N5613

1N5613 - Microsemi Corporation

Artikelnummer
1N5613
Hersteller
Microsemi Corporation
Kurze Beschreibung
TVS DIODE C-BODY
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
1N5613 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
TVS - Dioden
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2535 pcs
Referenzpreis
USD 64.9446/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 1N5613

1N5613 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 1N5613
Teilstatus Active
Art -
Unidirektionale Kanäle -
Bidirektionale Kanäle -
Spannung - Reverse Standoff (Typ) -
Spannung - Ausfall (Min.) -
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp -
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) -
Leistung - Spitzenpuls -
Stromleitungsschutz -
Anwendungen -
Kapazität @ Frequenz -
Betriebstemperatur -
Befestigungsart -
Paket / Fall -
Lieferantengerätepaket -
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 1N5613

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
1N-SS119 1N-SS119 SEMTECH_ELEC SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE Einzelheiten
1N-SS254 1N-SS254 SEMTECH Packing Specification of 52mm Ammo Pack Einzelheiten
1N102 1N102 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N103 1N103 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N104 1N104 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N107 1N107 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N108 1N108 EXSHINE GOLD BONDED DIODES Einzelheiten
1N1081 1N1081 EXSHINE 1N1081 Einzelheiten
1N1081A 1N1081A EXSHINE 1N1081 Einzelheiten
1N1082 1N1082 EXSHINE 1N1081 Einzelheiten