1N5614GP-E3/54 - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	1N5614GP-E3/54
État de la pièce	Obsolete
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.2V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	2µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	500nA @ 200V
Capacitance @ Vr, F	45pF @ 12V, 1MHz
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	DO-204AC, DO-15, Axial
Package de périphérique fournisseur	DO-204AC (DO-15)
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
1N5610	Microsemi Corporation	TVS DIODE 30.5VWM 47.6VC G-PKG	Détails
1N5611	Microsemi Corporation	TVS DIODE	Détails
1N5613	Microsemi Corporation	TVS DIODE C-BODY	Détails
1N5614	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL	Détails
1N5614GP	VISHAY	1N5614GP VISHAY DO-15 New Original Stocks	Détails
1N5614GP-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	Détails
1N5614GP-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	Détails
1N5614GPHE3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC	Détails
1N5614US	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 1A D5A	Détails
1N5615	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL	Détails