SCT2160KEC - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	SCT2160KEC
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 18V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 800V
Vgs (Max)	+22V, -6V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	208 mOhm @ 7A, 18V
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SCT2-2	Panduit Corp	CONN T-SPLICE TAP 2 AWG CRIMP	Détails
SCT2/0-2/0	Panduit Corp	CONN T-SPLICE TAP 2/0 AWG CRIMP	Détails
SCT2024CSTG	SCT	SCT2024CSTG SCT SOP24 New Original Stocks	Détails
SCT2026CSTG	ST	SCT2026CSTG ST SSOP24 New Original Stocks	Détails
SCT205K122A3B28	ORIGINAL	SCT205K122A3B28 ORIGINAL Standa.. New Original Stocks	Détails
SCT2080KEC	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247	Détails
SCT2080KEHRC11	Rohm Semiconductor	AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P	Détails
SCT20N120	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247	Détails
SCT2120AFC	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB	Détails
SCT2160KEC	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247	Détails