SCT2080KEC - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	SCT2080KEC
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	40A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4.4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	106nC @ 18V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2080pF @ 800V
Vgs (Max)	+22V, -6V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	262W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117 mOhm @ 10A, 18V
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247
Paquet / cas	TO-247-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SCT2-2	Panduit Corp	CONN T-SPLICE TAP 2 AWG CRIMP	Détails
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