| Numero di parte | SCT2160KEC |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 18V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 800V |
| Vgs (massimo) | +22V, -6V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208 mOhm @ 7A, 18V |
| temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SCT2-2 | Panduit Corp | CONN T-SPLICE TAP 2 AWG CRIMP | Dettagli |
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SCT2/0-2/0 | Panduit Corp | CONN T-SPLICE TAP 2/0 AWG CRIMP | Dettagli |
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SCT20N120 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 | Dettagli |
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SCT2120AFC | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB | Dettagli |
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SCT2160KEC | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247 | Dettagli |
