| Número de pieza | SCT2160KEC |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 1200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 18V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 800V |
| Vgs (Max) | +22V, -6V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 165W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208 mOhm @ 7A, 18V |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 |
| Paquete / caja | TO-247-3 |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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