SCT2160KEC - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	SCT2160KEC
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 800V
Vgs (Max)	+22V, -6V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	165W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	208 mOhm @ 7A, 18V
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SCT2-2	Panduit Corp	CONN T-SPLICE TAP 2 AWG CRIMP	Einzelheiten
SCT2/0-2/0	Panduit Corp	CONN T-SPLICE TAP 2/0 AWG CRIMP	Einzelheiten
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