NGTB35N65FL2WG

NGTB35N65FL2WG - ON Semiconductor

Numéro d'article
NGTB35N65FL2WG
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IGBT 650V 70A 300W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
12509 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.1756/pcs
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NGTB35N65FL2WG Description détaillée

Numéro d'article NGTB35N65FL2WG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Puissance - Max 300W
Échange d'énergie 840µJ (on), 280µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 125nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 72ns/132ns
Condition de test 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 68ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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