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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › NGTB35N65FL2WG
NGTB35N65FL2WG

NGTB35N65FL2WG - ON Semiconductor

Numero di parte
NGTB35N65FL2WG
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
IGBT 650V 70A 300W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NGTB35N65FL2WG Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
11658 pcs
Prezzo di riferimento
USD 2.1756/pcs
Il nostro prezzo
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NGTB35N65FL2WG Descrizione dettagliata

Numero di parte NGTB35N65FL2WG
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 70A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
Potenza - Max 300W
Cambiare energia 840µJ (on), 280µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 125nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 72ns/132ns
Condizione di test 400V, 35A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 68ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Peso -
Paese d'origine -

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