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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › NGTB30N120IHLWG
NGTB30N120IHLWG

NGTB30N120IHLWG - ON Semiconductor

Numero di parte
NGTB30N120IHLWG
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
IGBT 1200V 30A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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NGTB30N120IHLWG Descrizione dettagliata

Numero di parte NGTB30N120IHLWG
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 320A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
Potenza - Max 260W
Cambiare energia 1mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 420nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C -/360ns
Condizione di test 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Peso -
Paese d'origine -

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