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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › NGTB30N120IHLWG
NGTB30N120IHLWG

NGTB30N120IHLWG - ON Semiconductor

Numéro d'article
NGTB30N120IHLWG
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IGBT 1200V 30A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4112 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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NGTB30N120IHLWG Description détaillée

Numéro d'article NGTB30N120IHLWG
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 320A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
Puissance - Max 260W
Échange d'énergie 1mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 420nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C -/360ns
Condition de test 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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