NGTB30N120LWG

NGTB30N120LWG - ON Semiconductor

Numéro d'article
NGTB30N120LWG
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IGBT 1200V 30A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
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1 Day
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NGTB30N120LWG Description détaillée

Numéro d'article NGTB30N120LWG
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
Puissance - Max 560W
Échange d'énergie 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 420nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 136ns/360ns
Condition de test 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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