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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › NGTB30N120FL2WG
NGTB30N120FL2WG

NGTB30N120FL2WG - ON Semiconductor

Numéro d'article
NGTB30N120FL2WG
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
IGBT 1200V 60A 452W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NGTB30N120FL2WG Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3453 pcs
Prix ​​de référence
USD 7.7121/pcs
Notre prix
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NGTB30N120FL2WG Description détaillée

Numéro d'article NGTB30N120FL2WG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 60A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
Puissance - Max 452W
Échange d'énergie 2.6mJ (on), 700µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 220nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 98ns/210ns
Condition de test 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 240ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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