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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › NGTB30N120L2WG
NGTB30N120L2WG

NGTB30N120L2WG - ON Semiconductor

Numero di parte
NGTB30N120L2WG
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
IGBT 1200V 60A 534W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NGTB30N120L2WG Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3272 pcs
Prezzo di riferimento
USD 7.9376/pcs
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NGTB30N120L2WG Descrizione dettagliata

Numero di parte NGTB30N120L2WG
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Potenza - Max 534W
Cambiare energia 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 310nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 116ns/285ns
Condizione di test 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 450ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Peso -
Paese d'origine -

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