NGTB30N120L2WG - ON Semiconductor

номер части	NGTB30N120L2WG
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	60A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	120A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 30A
Мощность - макс.	534W
Энергия переключения	4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	310nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	116ns/285ns
Условия тестирования	600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	450ns
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3
Пакет устройств поставщика	TO-247
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NGTB30N120FL2WG	ON Semiconductor	IGBT 1200V 60A 452W TO247	подробности
NGTB30N120IHLWG	ON Semiconductor	IGBT 1200V 30A TO247	подробности
NGTB30N120IHRWG	ON Semiconductor	IGBT 1200V 60A 384W TO247	подробности
NGTB30N120IHSWG	ON Semiconductor	IGBT 1200V 30A TO247	подробности
NGTB30N120L2WG	ON Semiconductor	IGBT 1200V 60A 534W TO247	подробности
NGTB30N120LWG	ON Semiconductor	IGBT 1200V 30A TO247	подробности
NGTB30N135IHR1WG	ON Semiconductor	IGBT 1350V 30A TO247	подробности
NGTB30N135IHRWG	ON Semiconductor	IGBT 1350V 60A 394W TO247	подробности
NGTB30N60FLWG	ON Semiconductor	IGBT 600V 60A 250W TO247	подробности
NGTB30N60FWG	ON Semiconductor	IGBT 600V 60A 167W TO247	подробности