APT40GR120S - Microsemi Corporation

Numéro d'article	APT40GR120S
État de la pièce	Active
Type d'IGBT	NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	88A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)	160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 40A
Puissance - Max	500W
Échange d'énergie	1.38mJ (on), 906µJ (off)
Type d'entrée	Standard
Charge de porte	210nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C	22ns/163ns
Condition de test	600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur	D3Pak
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
APT4012BVR	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Détails
APT4012BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD	Détails
APT4016BVRG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V TO-247	Détails
APT4065BNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD	Détails
APT40DC120HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227	Détails
APT40DC60HJ	Microsemi Corporation	RECT BRIDGE 40A 600V SOT227	Détails
APT40DQ100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247	Détails
APT40DQ100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247	Détails
APT40DQ120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247	Détails
APT40DQ120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247	Détails