| Numero di parte | APT40GR120S |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 88A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 40A |
| Potenza - Max | 500W |
| Cambiare energia | 1.38mJ (on), 906µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 210nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 22ns/163ns |
| Condizione di test | 600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3Pak |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Dettagli |
|
APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Dettagli |
|
APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | Dettagli |
|
APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | Dettagli |
 |
APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | Dettagli |
|
APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | Dettagli |
 |
APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | Dettagli |
 |
APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | Dettagli |
|
APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | Dettagli |
|
APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | Dettagli |
