IXTT3N200P3HV - IXYS

Numéro d'article	IXTT3N200P3HV
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	2000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1860pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	520W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 1.5A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-268
Paquet / cas	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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