IXTT3N200P3HV - IXYS

номер части	IXTT3N200P3HV
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	2000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	3A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	70nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1860pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	520W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8 Ohm @ 1.5A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-268
Упаковка / чехол	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTT30N50L	IXYS	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268	подробности
IXTT30N50L2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268	подробности
IXTT30N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3	подробности
IXTT30N60L2	IXYS	MOSFET N-CH 600V 30A TO-268	подробности
IXTT30N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3	подробности
IXTT34N65X2HV	IXYS	MOSFET N-CH	подробности
IXTT360N055T2	IXYS	MOSFET N-CH 55V 360A TO268	подробности
IXTT36N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3	подробности
IXTT36P10	IXYS	MOSFET P-CH 100V 36A TO-268	подробности
IXTT3N200P3HV	IXYS	2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF	подробности