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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV - IXYS

品番
IXTT3N200P3HV
メーカー
IXYS
簡単な説明
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTT3N200P3HV PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXTT3N200P3HV.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
150 pcs
参考価格
USD 40.7/pcs
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IXTT3N200P3HV 詳細な説明

品番 IXTT3N200P3HV
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 2000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 70nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1860pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 520W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 8 Ohm @ 1.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 -
原産国 -

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