IXTT30N60L2

IXTT30N60L2 - IXYS

Numéro d'article
IXTT30N60L2
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXTT30N60L2 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IXTT30N60L2.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1285 pcs
Prix ​​de référence
USD 15.85/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXTT30N60L2

IXTT30N60L2 Description détaillée

Numéro d'article IXTT30N60L2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 335nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXTT30N60L2