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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IXTT30N60L2
IXTT30N60L2

IXTT30N60L2 - IXYS

Número de pieza
IXTT30N60L2
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
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Descargar hoja de datos en PDF
IXTT30N60L2.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1285 pcs
Precio de referencia
USD 15.85/pcs
Nuestro precio
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IXTT30N60L2 Descripción detallada

Número de pieza IXTT30N60L2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 30A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 335nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-268
Paquete / caja TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso -
País de origen -

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