IXTT100N25P - IXYS

Numéro d'article	IXTT100N25P
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	185nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6300pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-268
Paquet / cas	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTT02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268	Détails
IXTT100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-268	Détails
IXTT10N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268	Détails
IXTT10N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267	Détails
IXTT10P50	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-268	Détails
IXTT10P60	IXYS	MOSFET P-CH 600V 10A TO-268	Détails
IXTT110N10L2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-268	Détails
IXTT110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-268	Détails
IXTT11P50	IXYS	MOSFET P-CH 500V 11A TO-268	Détails
IXTT120N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-268	Détails