IXTM50N20

IXTM50N20 - IXYS

Numéro d'article
IXTM50N20
Fabricant
IXYS
Brève description
POWER MOSFET TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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16692 pcs
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IXTM50N20 Description détaillée

Numéro d'article IXTM50N20
État de la pièce Last Time Buy
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 300W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-204AE
Paquet / cas TO-204AE
Poids -
Pays d'origine -

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