IXTA86N20T

IXTA86N20T - IXYS

Numéro d'article
IXTA86N20T
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 200V 86A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6809 pcs
Prix ​​de référence
USD 3.861/pcs
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IXTA86N20T Description détaillée

Numéro d'article IXTA86N20T
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 86A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263 (IXTA)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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