IXTA34N65X2

IXTA34N65X2 - IXYS

Numéro d'article
IXTA34N65X2
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
38512 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.275/pcs
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IXTA34N65X2 Description détaillée

Numéro d'article IXTA34N65X2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 96 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 540W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263AA
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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