EPC8002ENGR - EPC

Numéro d'article	EPC8002ENGR
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss)	65V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.14nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	21pF @ 32.5V
Vgs (Max)	+6V, -5V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	530 mOhm @ 500mA, 5V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	Die
Paquet / cas	Die
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
EPC8002	EPC	TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE	Détails
EPC8002ENGR	EPC	TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE	Détails
EPC8003ENGR	EPC	TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE	Détails
EPC8004	EPC	TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE	Détails
EPC8004ENGR	EPC	TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE	Détails
EPC8005ENGR	EPC	TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE	Détails
EPC8007ENGR	EPC	TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE	Détails
EPC8008ENGR	EPC	TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE	Détails
EPC8009	EPC	TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE	Détails
EPC8009ENGR	EPC	TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE	Détails