| 品番 | EPC8002ENGR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 65V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 0.14nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 21pF @ 32.5V |
| Vgs（最大） | +6V, -5V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| パッケージ/ケース | Die |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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EPC8002 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC8002ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC8003ENGR | EPC | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC8004 | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC8004ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC8005ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC8007ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC8008ENGR | EPC | TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC8009 | EPC | TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC8009ENGR | EPC | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE | 詳細 |
