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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › EPC8002ENGR
EPC8002ENGR

EPC8002ENGR - EPC

品番
EPC8002ENGR
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC8002ENGR PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
EPC8002ENGR.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1565 pcs
参考価格
USD 16.9235/pcs
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メールで送信：[email protected]

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EPC8002ENGR 詳細な説明

品番 EPC8002ENGR
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 65V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.14nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 21pF @ 32.5V
Vgs（最大） +6V, -5V
FET機能 -
消費電力（最大） -
Rds On（Max）@ Id、Vgs 530 mOhm @ 500mA, 5V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ Die
パッケージ/ケース Die
重量 -
原産国 -

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