EPC8002ENGR - EPC

номер части	EPC8002ENGR
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	65V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	0.14nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	21pF @ 32.5V
Vgs (Макс.)	+6V, -5V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	-
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	530 mOhm @ 500mA, 5V
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	Die
Упаковка / чехол	Die
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
EPC8002	EPC	TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE	подробности
EPC8002ENGR	EPC	TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE	подробности
EPC8003ENGR	EPC	TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE	подробности
EPC8004	EPC	TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE	подробности
EPC8004ENGR	EPC	TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE	подробности
EPC8005ENGR	EPC	TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE	подробности
EPC8007ENGR	EPC	TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE	подробности
EPC8008ENGR	EPC	TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE	подробности
EPC8009	EPC	TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE	подробности
EPC8009ENGR	EPC	TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE	подробности