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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › EPC8002ENGR
EPC8002ENGR

EPC8002ENGR - EPC

Artikelnummer
EPC8002ENGR
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC8002ENGR PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
EPC8002ENGR.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1537 pcs
Referenzpreis
USD 16.9235/pcs
Unser Preis
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EPC8002ENGR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC8002ENGR
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 65V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.14nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21pF @ 32.5V
Vgs (Max) +6V, -5V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 530 mOhm @ 500mA, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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