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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › EPC8007ENGR
EPC8007ENGR

EPC8007ENGR - EPC

Artikelnummer
EPC8007ENGR
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC8007ENGR PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
EPC8007ENGR.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
2688 pcs
Referenzpreis
USD 9.8175/pcs
Unser Preis
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EPC8007ENGR detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC8007ENGR
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.3nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 39pF @ 20V
Vgs (Max) +6V, -5V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 500mA, 5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Die
Paket / Fall Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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